[实用新型]非易失性存储器的编程电路有效
| 申请号： | 201721748903.3 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207558427U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王井舟 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实用新型公开了一种非易失性存储器的编程电路，涉及存储技术领域。该非易失性存储器的编程电路包括存储单元以及连接于所述存储单元的一对电流镜场效应管，所述电流镜场效应管与所述存储单元之间还设置有一开关管；所述电流镜场效应管输入端连接于一恒定电流源，输出端通过所述开关管连接于所述存储单元，以将所述恒定电流镜像复制于所述存储单元。本实用新型的技术方案可以在不增加沟道电流的情况下，提高后段编程的效率，从而提高整个编程过程的效率，缩短总的编程时间，提高闪存性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 电流镜场效应管 非易失性存储器 编程电路 开关管 编程 存储技术领域 本实用新型 恒定电流源 输入端连接 编程过程 沟道电流 恒定电流 镜像复制 输出端 后段 闪存 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的编程电路，其特征在于，包括存储单元以及连接于所述存储单元的一对电流镜场效应管，所述电流镜场效应管与所述存储单元之间还设置有一开关管；所述电流镜场效应管输入端连接于一恒定电流源，输出端通过所述开关管连接于所述存储单元，以将所述恒定电流镜像复制于所述存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锐成芯微科技股份有限公司，未经成都锐成芯微科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721748903.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种桑拿房用内外控制多媒体播放装置
- 下一篇：固态硬盘
