[实用新型]多腔室晶圆处理设备有效
申请号: | 201721754788.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN207503937U | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 张大龙;栾剑锋;阚保国;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 223300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种多腔室晶圆处理设备,包括:多个晶圆处理腔室,每个晶圆处理腔室包括气动门,所述气动门由气缸驱动;气路,包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路,所述多个支气路分别连接至各个气缸;气体源,与所述气路另一端连接,用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体;第一阀门,设置于所述主气路上,用于控制所述主气路内的气流;多个第二阀门,分别设置于位于各个支气路上,用于分别控制各个支气路内的气流。提高气路内压力的均匀稳定性,使得气动门开关顺利。 1 | ||
搜索关键词: | 气动门 支气路 主气路 气路 晶圆处理设备 处理腔室 一端连接 多腔室 阀门 晶圆 气缸 本实用新型 均匀稳定性 气缸驱动 输入压缩 内压力 气体源 主气 | ||
【主权项】:
1.一种多腔室晶圆处理设备,其特征在于,包括:
多个晶圆处理腔室,每个晶圆处理腔室包括气动门,所述气动门由气缸驱动;
气路,包括主气路和与所述主气路一端连接的多个支气路,所述多个支气路分别连接至各个气缸;
气体源,与所述气路另一端连接,用于通过所述气路向各个气缸输入压缩气体;
第一阀门,设置于所述主气路上,用于控制所述主气路内的气流;
多个第二阀门,分别设置于位于各个支气路上,用于分别控制各个支气路内的气流。
2.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述第二阀门为针型阀门。3.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述第一阀门与第二阀门采用相同类型的阀门。4.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述气体源用于输出压强为85Psi~95Psi的压缩气体。5.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述第二阀门上设置有压力传感器,用于检测所述支气路内的气体压强。6.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述第二阀门与气缸之间的气路距离小于第二阀门与主气路之间的气路距离。7.根据权利要求1所述的多腔室晶圆处理设备,其特征在于,所述第二阀门用于控制对应的气动门的开关时间为4s~6s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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