[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201721755979.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207800625U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管，包括：Si衬底；Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；正电极，位于所述叠层结构的上表面；负电极，设位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处。本实用新型的发光二极管器件结构可显著提高LED发光器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层结构 本实用新型 发光二极管 上表面 衬底 发光二极管器件 中心位置处 衬底表面 叠层材料 负电极 位置处 正电极 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：Si衬底；Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；正电极，位于所述叠层结构的上表面；负电极，位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721755979.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
