[实用新型]加热电极埋入式MEMS器件有效
| 申请号： | 201721756192.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207760034U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 宋焱 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子材料与元器件技术领域，具体涉及一种加热电极埋入式MEMS器件。本实用新型所提供的加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，凹槽中设有加热电极，所述加热电极上覆盖有带有接触孔的第二介质膜，所述第二介质膜上设有测试电极，且所述加热电极与测试电极通过第二介质膜完全隔离。本实用新型可以有效解决由电极金属丝在不完全剥离时在水平和垂直方向上产生的金属残留所造成的加热电极自身短路，以及加热电极与测试电极间漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 加热电极 介质膜 本实用新型 测试电极 埋入式 基底 电极金属丝 元器件技术 漏电 电子材料 金属残留 完全隔离 有效解决 接触孔 短路 沉积 剥离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，加热电极设于所述凹槽中，所述加热电极上覆盖有带有接触孔的第二介质膜，所述加热电极通过所述接触孔与外接电源相连，所述第二介质膜上设有测试电极，且所述加热电极与测试电极通过第二介质膜完全隔离。
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