[实用新型]用于三维集成电路封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201721776308.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN208385399U | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 江苏天康电子合成材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/60;H01L27/02;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于MOS管(12)四周且上下贯通Si基板(11)，用于对MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于MOS管(12)和隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通Si基板(11)，TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于Si基板(11)的下表面；铜互连线(17)，设置于Si基板(11)上，用于连接TSV区(14)的第一端面和MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于TSV区(14)的第二端面上。本实用新型提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置MOS管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 转接板 绝缘层 三维集成电路 上下贯通 隔离区 封装 本实用新型 抗静电能力 层叠封装 填充材料 铜互连线 转接 上表面 下表面 凸点 隔离 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；铜互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于所述TSV区(14)的第二端面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏天康电子合成材料有限公司，未经江苏天康电子合成材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721776308.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：窗口型球栅阵列封装组件
- 下一篇：半导体元件、贴片机及贴片系统
