[实用新型]一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置

摘要

本实用新型公开了一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，蒸发室裂解室、镀膜腔室、真空系统依次通过管道连通，新型CVD反应控制喷淋装置至少覆盖镀膜腔室进气口一侧的有效镀膜区域截面，新型CVD反应控制喷淋装置主进气口连通主进气管路，主进气管路输出口连通二路分进气管路，分进气管路后级再依次设置N级分进气管路，N级分进气管路的前一级分进气管路输出口连通两路后一级分进气管路。本实用新型通过计算将气体流道控制在大于平均分子自由程的尺寸，然后在通过流道截面积的变化控制气体的流速，使每个出气孔的气体流量完全一致，精确控制腔体内每个点的成膜气体流速及反应速度，达到膜层均匀性及定量控制气体沉积反应速率。

主权项

1.一种真空化学气相沉积设备中的新型反应控制喷淋装置，包括蒸发室(1)、裂解室(2)、镀膜腔室(3)、真空系统(4)，所述蒸发室(1)、裂解室(2)、镀膜腔室(3)、真空系统(4)依次通过管道(6)连通，其特征在于：所述镀膜腔室(3)进气口处设置新型CVD反应控制喷淋装置(5)，所述新型CVD反应控制喷淋装置(5)至少覆盖镀膜腔室(3)进气口一侧的有效镀膜区域截面，所述新型CVD反应控制喷淋装置(5)主进气口(51)连通主进气管路(52)，所述主进气管路(52)输出口连通二路分进气管路(53)，所述分进气管路(53)后级再依次设置N级分进气管路，其中N级分进气管路的前一级分进气管路输出口连通两路后一级分进气管路，其中N≥2。