[实用新型]超结场效应管有效
| 申请号： | 201721831506.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207676910U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吴多武;马清杰;许正一 | 申请（专利权）人： | 南京方旭智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种超结场效应管。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡。故避免发生电压波形震荡，并增强了电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 场效应管 超结 栅极源极 第一端 漏极层 空穴 本实用新型 载流子平衡 导通状态 电压波形 反向恢复 相对设置 嵌入 震荡 电路 | ||
【主权项】：
1.一种超结场效应管，其特征在于，包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层；所述PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端与所述栅极源极层连接；所述P型补偿半导体层嵌入在所述第二端与所述漏极层的连接处，用于在所述超结场效应管处于反向恢复的过程中时，所述P型补偿半导体层与所述PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使所述PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持所述PN结型半导体层中的载流子平衡。
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