[实用新型]一种磁控溅射式物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201721834821.0 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN207581921U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨肸曦 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;张春雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供的磁控溅射式物理气相沉积设备，包括工艺腔室、溅射组件、等离子体产生组件、氧气设备和补偿挡板；溅射组件和等离子体产生组件设置在工艺腔室相互垂直的两侧壁上，溅射组件包括支撑件；等离子体产生组件包括电子枪和氩气设备；电子枪向工艺腔室中发射电子，氩气设备向工艺腔室中充入氩气；氧气设备向工艺腔室中充入氧气；补偿挡板设置在工艺腔室中正对支撑件的方向。等离子体产生组件和溅射组件分开设置，避免等离子体直接轰击基片表面，降低了对基片的冲击力，从而提高了基片的膜层的沉积质量，提高了沉积效率；补偿挡板可以将基片成膜速率快的地方稍微减慢，将成膜速率慢的地方增快，从而明显提高了薄膜沉积的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔室 等离子体产生组件 溅射 氩气 补偿挡板 物理气相沉积设备 磁控溅射 氧气设备 电子枪 支撑件 成膜 等离子体 本实用新型 薄膜沉积 沉积效率 发射电子 分开设置 基片表面 组件包括 垂直的 均匀性 两侧壁 膜层 沉积 轰击 冲击力 减慢 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，包括：工艺腔室；溅射组件，所述溅射组件设置在所述工艺腔室的第一侧壁上，所述溅射组件包括用于支撑靶材的支撑件；等离子体产生组件，设置在所述工艺腔室的第二侧壁上，所述第二侧壁与所述第一侧壁相垂直，所述等离子体产生组件包括电子枪和氩气设备；所述电子枪向所述工艺腔室中发射电子，所述氩气设备向所述工艺腔室中充入氩气；氧气设备，所述氧气设备向所述工艺腔室中充入氧气；补偿挡板，设置在所述工艺腔室中正对所述支撑件的方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于君泰创新（北京）科技有限公司，未经君泰创新（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721834821.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种引弧点火装置及纳米材料制作设备
- 下一篇：一种磁控溅射式物理气相沉积设备
- 同类专利
- 专利分类
