[实用新型]一种芯片电性恢复装置有效
| 申请号： | 201721868558.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207743204U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 庄丰安 | 申请（专利权）人： | 深圳宜特检测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人： | 李永华;张广兴 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种芯片电性恢复装置，包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机；芯片放置于所述加热台上，所述加热台对所述芯片进行加热，所述UV灯对所述芯片进行照射，所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后，移送至所述研磨机，所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层，研磨后的芯片送至所述电浆蚀刻机，所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。本实用新型提供的芯片电性恢复装置可以将进行失效分析后芯片表面与内部沉积的电子移除，从而恢复芯片的初始电性状态，该芯片电性恢复装置的设置合理，操作简单，且有效地提高了芯片测试分析的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复装置 芯片表面 芯片电性 芯片 电浆蚀刻 加热台 研磨机 本实用新型 研磨 电触点 去除 加热 蚀刻 电性状态 失效分析 芯片测试 芯片放置 钝化层 氧化层 有效地 移除 沉积 照射 恢复 分析 | ||
【主权项】：
1.一种芯片电性恢复装置，其特征在于，所述芯片电性恢复装置包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机；芯片放置于所述加热台上，所述加热台对所述芯片进行加热，所述UV灯对所述芯片进行照射，所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后移送至所述研磨机，所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层，所述芯片经研磨后送至所述电浆蚀刻机，所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳宜特检测技术有限公司，未经深圳宜特检测技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721868558.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种芯片封装点胶机压紧装置
- 下一篇：一种元器件封装中的批量化管脚切断装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
