[实用新型]一种高电压LED封装结构

摘要

本实用新型公开了一种高电压LED封装结构,结构上设有高电压LED封装装置，散热器与高电压LED封装装置的外表面相连接，当高电压LED封装结构在高电压环境工作时，通过高电压LED封装装置来实现单个LED封装结构在高电压工作的效果，通过电极通电来用金丝线给LED灯芯片进行发光，再通过键合层来加强发光的亮度，通过芯片热沉来将热能导出高电压LED封装装置，从而获得较高的发光通量和光电转换效率，该高电压LED封装装置具有在高电压环境下较强的取光效率和散热性能，由于IED灯的发光通量和温度成负温度系数关系，温度越高光输出越少，通过绝缘层来隔离热量防止高温对发光通量的影响，且延长的IED灯的使用寿命，从而可以在高电压的环境下工作。

主权项

1.一种高电压LED封装结构，其特征在于：其结构包括杯型套（1）、升降线（2）、电源上盖（3）、电源器（4）、散热器（5）、高电压LED封装装置（6）、支架（7）、灯罩（8），所述杯型套（1）的外表面与升降线（2）相连接，所述电源上盖（3）内表面与电源器（4）相贴合，所述散热器（5）与高电压LED封装装置（6）的外表面相连接，所述支架（7）与灯罩（8）相连接，所述高电压LED封装装置（6）包括封装透镜（601）、LED灯芯片（602）、键合层（603）、电极（604）、芯片热沉（605）、焊盘（606）、线路板（607）、焊料（608）、绝缘层（609）、金丝线（6010），所述封装透镜（601）的下表面与电极（604）的上表面相贴合，所述封装透镜（601）内设有金丝线（6010），所述LED灯芯片（602）通过金丝线（6010）与电极（604）相连接，所述LED灯芯片（602）的下表面与键合层（603）的上表面相贴合，所述键合层（603）嵌入安装与芯片热沉（605）中，所述电极（604）与绝缘层（609）的外表面相贴合，所述电极（604）的下表面与焊料（608）的上表面相连接，所述芯片热沉（605）的外表面与绝缘层（609）的外表面相贴合，所述芯片热沉（605）的下表面与线路板（607）的上表面相贴合，所述线路板（607）的上表面与焊盘（606）的下表面相焊接，所述焊料（608）的下表面与焊盘（606）的上表面相焊接，所述封装透镜（601）的内表面设有LED灯芯片（602），所述线路板（607）的下表面与散热器（5）相连接。