[实用新型]具有低功率SRAM保持模式的设备有效
| 申请号： | 201721870726.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN208488976U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | V·梅内塞斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了具有低功率SRAM保持模式的设备。公开了存储器阵列(300A)和集成电路。存储器阵列包括第一组和第二组存储器元件和五个开关(S1‑S5)。第一组存储器元件的每个存储器元件耦合到上轨道和第一节点，而第二组存储器元件的每个存储器元件耦合到第二节点和下轨道。第一开关(S1)耦合在第一节点与第二节点之间；第二开关(S2)耦合在第一节点和下轨道之间；以及第三开关(S3)耦合在第二节点和上轨道之间。第四开关(S4)耦合在第一节点和是下轨道上方的一个二极管压降的电压之间，并且第五开关(S5)耦合在第二节点和是上轨道下方的一个二极管压降的电压之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器元件 耦合 上轨道 下轨道 存储器阵列 二极管 低功率 耦合到 压降 第一开关 集成电路 申请 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，包括：第一多个存储器元件，所述第一多个存储器元件中的每个存储器元件耦合到上轨道和第一节点；第二多个存储器元件，所述第二多个存储器元件中的每个存储器元件耦合到第二节点和下轨道；第一开关，其耦合在所述第一节点和所述第二节点之间；第二开关，其耦合在所述第一节点和所述下轨道之间；第三开关，其耦合在所述第二节点和所述上轨道之间；第四开关，其耦合在所述第一节点与是在所述下轨道上方的一个二极管压降的电压之间；以及第五开关，其耦合在所述第二节点与是在所述上轨道下方的一个二极管压降的电压之间。
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