[实用新型]带立式电容的两片式同步整流二极管有效

专利信息
申请号: 201721876391.9 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN208142170U 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 李明芬;吴南;吕敏;李联勋;马东平;王鹏;徐明星 申请(专利权)人: 山东芯诺电子科技股份有限公司
主分类号: H01L25/03 分类号: H01L25/03
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 周仕芳;卢登涛
地址: 272100 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了带立式电容的两片式同步整流二极管,包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、立式电容,所述第一框架设有一个外置引脚,MOSFET芯片固定在第一框架上;所述第二框架有两个外置引脚,控制IC芯片固定在第二框架,立式电容固定在第二框架上,立式电容下部为外接线端,上部为内接线端;所述MOSFET芯片、控制IC芯片、立式电容之间通过键合线连接。带立式电容的两片式同步整流二极管,优化了结构,整合PAD可利用面积,排除了易造成不良的结构缺陷。
搜索关键词: 电容 同步整流二极管 控制IC芯片 两片式 外置 引脚 本实用新型 结构缺陷 键合线 接线端 外接线 整合 优化
【主权项】:
1.带立式电容的两片式同步整流二极管,其特征在于,包括第一框架(1)、MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、第二框架(4)、立式电容(5),所述第一框架(1)设有一个外置引脚,MOSFET芯片(2)固定在第一框架(1)上;所述第二框架(4)有两个外置引脚,控制IC芯片(3)固定在第二框架(4),立式电容(5)固定在第二框架(4)上,立式电容(5)下部为外接线端,上部为内接线端;所述MOSFET芯片(2)、控制IC芯片(3)、立式电容(5)之间通过键合线连接。
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