[实用新型]电容器及半导体存储器有效
| 申请号： | 201721877327.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207602562U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种电容器及半导体存储器，电容器包括设置在绝缘层上的电极支撑结构，电极支撑结构具有电容成型孔，在电容成型孔中和电极支撑结构外部填充上电极填充物，电极支撑结构包括由下至上依次间隔设置的底部支撑层、第一中间支撑层、第二中间支撑层以及顶部支撑层，底部支撑层与第一中间支撑层之间的间距，第一中间支撑层与第二中间支撑层之间的间距均大于第二中间支撑层与顶部支撑层之间的间距。半导体存储器包括上述的电容器。本实用新型提高了支撑结构的强度，使电容器轮廓较垂直化，提高最终形成的半导体存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 中间支撑层 电容器 半导体存储器 电极支撑结构 本实用新型 底部支撑层 顶部支撑层 支撑结构 成型孔 电容 绝缘层 填充物 间隔设置 中和电极 电极 填充 垂直 外部 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置绝缘层，所述绝缘层中设置有多个存储节点接触塞；下电极，包括下电极层及用于支撑所述下电极层的电极支撑结构，所述电极支撑结构设置在所述绝缘层上，所述电极支撑结构具有多个电容成型孔，所述下电极层形成于所述电容成型孔中并接合于所述存储节点接触塞；以及上电极，包括上电极填充物，所述上电极填充物填充在所述电容成型孔中且覆盖所述电极支撑结构；其中，所述电极支撑结构包括由下至上依次间隔设置的底部支撑层、第一中间支撑层、第二中间支撑层以及顶部支撑层，所述底部支撑层设置在所述绝缘层的上表面上；所述底部支撑层与所述第一中间支撑层之间的间距以及所述第一中间支撑层与所述第二中间支撑层之间的间距的任一间距均大于所述第二中间支撑层与所述顶部支撑层之间的间距；所述底部支撑层、所述第一中间支撑层、所述第二中间支撑层以及所述顶部支撑层的总厚度不大于所述电极支撑结构由所述顶部支撑层的上表面至所述底部支撑层的下表面的高度的10％。
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