[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201721891851.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207883685U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 王之奇 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，在本实用新型所述技术方案中，所述基底的背面覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述通孔的底部以及侧壁，且覆盖所述通孔外的所述基底的背面，位于所述通孔外的所述第一绝缘表面覆盖有第二绝缘层，在对所述通孔底部的第一绝缘层进行刻蚀时，虽然位于所述通孔外的区域的刻蚀速度大于所述通孔底部的刻蚀速度，但是由于具有所述第二绝缘层的保护，可以避免所述通孔外的所述第一绝缘层被过刻蚀，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 绝缘层 刻蚀 半导体器件 本实用新型 基底 背面 覆盖 绝缘层覆盖 绝缘表面 过刻蚀 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基底，所述基底包括相对的正面以及背面，所述正面具有功能单元以及与所述功能单元连接的焊垫；位于所述基底的背面的通孔，所述通孔用于露出所述焊垫；所述通孔为直孔；覆盖所述基底的背面的第一绝缘层，所述第一绝缘层露出所述通孔底部的所述焊垫；覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；覆盖所述第二绝缘层的再布线层，所述再布线层在所述通孔的底部与所述焊垫连接，所述再布线层延伸到所述通孔的外部；覆盖所述再布线层的阻焊层，所述阻焊层位于所述通孔外的区域具有开口，用于露出所述再布线层；位于所述开口的连接端，所述连接端与所述再布线层连接，用于连接外部电路。
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