[实用新型]单向低电容TVS器件

摘要

公开了一种单向低电容TVS器件，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成了第一三极管、第二三极管、普通二极管和稳压二极管，其中，所述第一三极管与第二三极管形成SCR结构，普通二极管与SCR结构并联连接在电源与地之间；稳压二极管连接在第一三极管的基极与地之间。相较于现有技术的单向低电容TVS器件能够较大地减小电容，使电源Vcc对地GND的电容可以达到小于0.6pF，最高峰值电流可以达到7A，且最高峰值电流对应的最大钳位电压可以达到小于10V。

主权项

1.一种单向低电容TVS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型埋层上；第二导电类型外延层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层上；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区形成于所述第二导电类型外延层中；多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层以及所述第一导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域，所述多个隔离结构延伸至所述第一导电类型衬底；第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区形成于所述第一区域以及第二区域的阱区部分中；第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于所述第二区域的非阱区部分和阱区部分中。