[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构有效
| 申请号： | 201721902869.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN208173611U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 | 申请（专利权）人： | 中智(泰兴)电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 225300 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结太阳电池 晶体硅 本实用新型 沉积 掺杂非晶硅薄膜 本征非晶硅 结构均匀性 氧化铟钛 转换效率 基薄膜 良品率 制绒 薄膜 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
