[实用新型]掩膜版有效
| 申请号： | 201721905467.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207799330U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 石晶晶;褚福川 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括若干主掩膜图形和若干辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形设置在相邻的主掩膜图形之间。采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜图形 掩膜版 制备 材料成本 导电基板 辅助掩膜 图形设置 阵列排布 曝光 辅助框 光刻胶 良品率 形变量 掩模板 崩边 模组 掩膜 固化 切割 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，所述掩膜版包括掩膜图形区(10)和非掩膜图形区(20)，所述掩膜图形区(10)用于曝光时固化其下方的光刻胶，所述非掩膜图形区(20)用于阻挡曝光用的光线，其特征在于，所述掩膜图形区(10)包括：若干主掩膜图形(11)，所述主掩膜图形(11)在所述掩膜版中阵列排布；若干辅助掩膜图形(12)，设置于相邻的所述主掩膜图形(11)之间。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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