[实用新型]一种正面金属为银的瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201721917324.7 | 申请日： | 2017-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN207624685U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;余晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳傲威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 韩国辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。 | ||
| 搜索关键词： | 钛镍银 瞬态电压抑制器 压焊 背面金属层 正面金属层 芯片本体 金属层 金属 极板 制作 本实用新型 金属层表面 寄生电容 正面极板 铝硅铜 焊锡 铝铜 背面 | ||
【主权项】：
1.一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其特征在于，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳傲威半导体有限公司，未经深圳傲威半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721917324.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防止虚焊的半导体引线框架
- 下一篇：一种单条式半导体引线框架
