[实用新型]一种晶圆自悬浮加热装置有效
| 申请号： | 201721919379.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207637760U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种晶圆自悬浮加热装置，包括：箱体；气浮载台，其用于对晶圆进行托浮，设置在箱体的底部且与供气装置相连；加热装置，其位于箱体的顶部，正对着气浮载台设置，用于对晶圆进行加热；测温单元，用于实时对晶圆表面进行温度检测，并发出温度信号；处理单元，其对温度信号进行接收，并与储存的对应理论加热工艺进行对比、分析，并发出相应控制信号至供气装置。这样一来，晶圆悬浮于箱体内进行加热，使其各区域的温度分布一致。处理单元通过控制供气装置供气量的大小来改变晶圆与加热装置之间的距离，从而使得其表面温度与理论加热工艺相符合。另外，采用悬浮式加热方式还可以降低因触碰对晶圆表面造成的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 加热装置 晶圆 供气装置 处理单元 加热工艺 晶圆表面 气浮载台 温度信号 自悬浮 种晶 加热 本实用新型 测温单元 加热方式 控制信号 温度分布 温度检测 供气量 悬浮式 触碰 正对 悬浮 损伤 储存 分析 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，包括：箱体；气浮载台，其用于对晶圆进行托浮，设置在所述箱体的底部且与供气装置相连；加热装置，其位于所述箱体的顶部，正对着所述气浮载台设置，用于对所述晶圆进行加热；测温单元，用于实时对所述晶圆表面进行温度检测，并发出温度信号；处理单元，其对所述温度信号进行接收，并与储存的对应理论加热工艺进行对比、分析，并发出相应控制信号至所述供气装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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