[实用新型]一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置有效
| 申请号： | 201721926433.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207966354U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙雷 | 申请（专利权）人： | 北京德瑞工贸有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33;G09G3/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路，MOS集成电路能分别控制微小的半导体激光二极管阵列中的每一个半导体激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光二极管 半导体激光二极管阵列 本实用新型 计算机控制 工业领域 相干性 光强 强弱 图像 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置：衬底(1)、MOS集成电路(2)、半导体激光二极管阵列(3)、外部控制系统(4)；通过外部控制系统(4)可独立寻址控制MOS集成电路(2)上的电极阵列(22)的每一个电极供电状态，进而通过控制电极阵列(22)中的每一个电极的供电独立控制每一个半导体激光二极管(31)发光与熄灭，通过可控的每个半导体激光二极管(31)发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。
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