[发明专利]完美吸收体的制造方法有效
| 申请号： | 201780000177.3 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107114006B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;韩谞;何克波 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种完美吸收体的制造方法，至少包括以下步骤：1)自洁净的基材一表面向外，依次进行第一金属层、介质层及第二金属层的沉积处理；2)在所述第二金属层表面进行电子束光刻胶的旋涂处理；3)对旋涂的所述电子束光刻胶进行热固化处理；4)对所述热固化后的电子束光刻胶进行曝光、显影处理，获得具有未经过曝光的电子束光刻胶区域；5)对进行曝光、显影处理后的所述电子束光刻胶区域进行干法刻蚀处理，使得第二金属层断裂形成若干周期性四方阵排布结构，并去除所述未经曝光的电子束光刻胶，得到完美吸收体。这种完美吸收体的制造方法不会对光刻胶产生破坏，而且剥离后的金属阵列不存在失真现象。 | ||
| 搜索关键词： | 完美 吸收体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种完美吸收体的制造方法，其特征在于：至少包括以下步骤：1)自洁净的基材一表面向外，依次进行第一金属层、介质层及第二金属层的沉积处理；2)在所述第二金属层表面进行电子束光刻胶的旋涂处理；3)对旋涂的所述电子束光刻胶进行热固化处理；4)对所述热固化后的电子束光刻胶进行曝光、显影处理，获得具有未经过曝光的电子束光刻胶区域；5)对进行曝光、显影处理后的所述电子束光刻胶区域进行干法刻蚀处理，使得第二金属层断裂形成若干周期性四方阵排布结构，并去除所述未经曝光的电子束光刻胶，得到完美吸收体。
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