[发明专利]ESD保护电路及ESD保护方法有效
申请号: | 201780000416.5 | 申请日: | 2017-05-26 |
公开(公告)号: | CN107278326B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 李经珊;陈科 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京合智同创知识产权代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请实施例提供的ESD保护电路及ESD保护方法,属于半导体技术领域。该ESD保护电路设置在芯片系统中,包括:使能单元和泄放单元;使能单元用于根据供电系统的工作状态生成对应的触发信号,所述工作状态至少包括正常上电状态和正脉冲ESD事件状态;泄放单元用于在与所述正常工作状态对应的触发信号的触发下进入分压状态,并在分压状态时承受供电系统输出的电信号,或者在与所述正脉冲ESD事件状态对应的触发信号的触发下在进入泄放状态,并在泄放状态时泄放供电系统处于正脉冲ESD事件状态时出现的静电;泄放单元中的半导体器件共用芯片系统中的半导体对应的一个或多个掩膜版。该ESD保护电路可保护所述芯片系统,且能效降低芯片系统的制造成本。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种ESD保护电路,其特征在于,所述ESD保护电路设置在芯片系统中,所述ESD保护电路包括:使能单元和泄放单元;使能单元用于根据供电系统的工作状态生成对应的触发信号,所述工作状态至少包括正常上电状态和正脉冲ESD事件状态;泄放单元用于在与所述正常工作状态对应的触发信号的触发下进入分压状态,并在分压状态时承受供电系统输出的电信号,或者在与所述正脉冲ESD事件状态对应的触发信号的触发下在进入泄放状态,并在泄放状态时泄放供电系统处于正脉冲ESD事件状态时出现的静电;泄放单元中的半导体器件共用芯片系统中的半导体对应的一个或多个掩膜版。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的