[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780000855.6 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109121423B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳;伊东浩二 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02;C25D13/00;C25D13/10;C25D13/12;H01L21/301 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于所述悬浊液中的状态下对向设置的同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间以所述半导体晶片的所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，以所述台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为所述无铅玻璃微粒子沉积物的所述玻璃覆盖膜形成为覆盖所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁，在所述玻璃覆盖膜形成工序中所使用的所述悬浊液为：将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为5～7，所述悬浊液的电导率的所述第二范围为20nS/cm～100nS/cm。
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