[发明专利]具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件

摘要

大致而言，异质结场效应晶体管器件包括支撑沟道区域的第一压电层、在第一压电层上方的第二压电层以及源极和漏极。在第二压电层上方的电介质层将源极和漏极电分离，并具有多个区段，这些区段中的两个区段通过第一间隙分离。第一栅极具有第一尖端，第一尖端在第一间隙内，第一间隙具有小于约200nm的长度。在紧接在第二压电层下方的第一压电层中，在第一间隙正下方，电介质层中的应力产生至少约1×1011/cm2电荷的压电电荷。第一栅极控制沟道区域的常关断区段。具有至少500nm的长度的第二栅极控制沟道区域的常导通区段。

主权项

一种集成电路器件，包括异质结场效应晶体管器件，所述异质结场效应晶体管器件包括：第一压电层，支撑沟道层；第二压电层，在所述第一压电层上方；外源极；外漏极；电介质层，在所述第二压电层上方，在纵向上电分离所述外源极和所述外漏极，并且在纵向上具有多个区段，所述多个区段中的两个区段由第一间隙分离；第一栅极，具有连接到第一栅极接触的第一尖端，所述第一尖端在所述第一间隙内，所述第一间隙具有小于约200nm的长度，其中在紧接在所述第二压电层下方的所述第一压电层中，在所述第一间隙正下方，所述电介质层中的应力产生至少约1×1011/cm2电荷的压电电荷；和第二栅极，设置在所述电介质层中的第二间隙内，所述第二间隙在纵向上分离所述多个区段中的各区段，所述第二间隙具有至少500nm的长度，其中所述第一栅极控制所述沟道层的常关断区段，并且所述第二栅极控制所述沟道区域的常导通区段。