[发明专利]具有无短路源极选择栅极接触通孔结构的三维存储器器件及其制造方法

摘要

通过改变支撑柱结构的图案，使得从其中形成源极选择栅极接触通孔结构的区域中省略支撑柱结构，可以防止由源极选择级接触通孔结构和支撑柱结构的未对准导致的电短路。源极选择级导电层上面的级处的绝缘层可以具有足够的厚度，以在形成背侧凹陷期间防止变形。源极选择级接触通孔结构与支撑柱结构之间的最小横向分离距离大于字线级接触通孔结构与支撑柱结构之间的任何最小横向分离距离。

主权项

1.一种三维存储器器件，包括：位于基板之上的绝缘层和导电层的交替堆叠体，其中所述导电层包括源极选择级导电层和位于所述源极选择级导电层之上的字线级导电层；存储器堆叠体结构，所述存储器堆叠体结构延伸穿过所述交替堆叠体，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，所述垂直半导体沟道接触所述存储器膜的内侧壁；梯台区域，在所述梯台区域中，除所述交替堆叠体内的最顶部导电层之外的每个导电层比所述交替堆叠体内的上面的导电层横向地延伸得更远；倒退阶梯式电介质材料部分，所述倒退阶梯式电介质材料部分在所述梯台区域上面；支撑柱结构，所述支撑柱结构位于所述梯台区域中，并且延伸穿过所述倒退阶梯式电介质材料部分和所述交替堆叠体；源极选择级接触通孔结构，所述源极选择级接触通孔结构延伸穿过所述倒退阶梯式电介质材料部分，并且接触所述源极选择级导电层；以及字线级接触通孔结构，所述字线级接触通孔结构延伸穿过所述倒退阶梯式电介质材料部分，并且接触所述字线级导电层中的相应的一个；其中所述源极选择级接触通孔结构与所述支撑柱结构之间的最小横向分离距离大于所述字线级接触通孔结构与所述支撑柱结构之间的任何最小横向分离距离。