[发明专利]具有级位移的台阶结构的三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780002991.9 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108886039B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 法月直人;冲住泰亲;马田省吾;小川裕之 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/50 | 分类号： | H10B41/50;H10B41/27;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底之上形成阶面结构。在衬底和阶面结构之上形成绝缘层和间隔体材料层的交替堆叠体，其具有阶面结构的高度的近似二倍的总高度。间隔体材料层形成为导电层或用导电层取代。通过平坦化工艺从阶面结构上方移除交替堆叠体的部分。可以在阶面结构上面的第一阶台区中和在位于交替堆叠体的存储器阵列区的相对侧的第二阶台区中兼时地形成阶梯表面。形成一对级位移的阶梯表面。到交替堆叠体的接触体可以仅向下达到该对级位移的阶梯表面的最低表面，并且可以短于交替堆叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 位移 台阶 结构 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器器件，包括：位于衬底之上的绝缘层和导电层的交替堆叠体，其中所述交替堆叠体从底部到顶部由所述交替堆叠体内的层的第一连续子集和层的第二连续子集组成；阶面结构，位于所述衬底之上；存储器堆叠体结构，延伸穿过存储器阵列区中的所述交替堆叠体，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道；第一阶台区，位于所述存储器阵列区的第一侧处的所述阶面结构上方，并且包含所述第一连续子集的第一阶梯表面；第二阶台区，位于所述存储器阵列区的第二侧处，并且包含所述第二连续子集的第二阶梯表面；第一接触通孔结构，接触所述第一阶台区中的第一连续子集内的相应的导电层；以及第二接触通孔结构，接触所述第二阶台区中的第二连续子集内的相应的导电层。
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