[发明专利]非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶有效
| 申请号： | 201780003433.4 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108138313B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 佐藤敦;高见英生;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;C22C5/04;C22C28/00;C22C38/00;G11B5/64;G11B5/851;B22F3/14;B22F3/15 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 聂宁乐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射靶 非磁性材料 面积比率 研磨 分散型 元素分布图 热处理 原子数比 垂直的 基合金 溅射面 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA的元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率SGe30质量％的平均值，与根据溅射靶的所有组成计算的Ge的面积比率SGe之比SGe30质量％/SGe为0.5以下，所述α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数。
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