[发明专利]光电转换装置在审

专利信息
申请号: 201780003629.3 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN108701701A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 伊东一笃;金子诚二;神崎庸辅;齐藤贵翁;宫本忠芳 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/369
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 汪飞亚;习冬梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种光电转换装置,在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。光电转换装置(100)具备:氧化物半导体层(5),其形成在基板(1)上;钝化膜(6)以及平坦化膜(7),其层叠于氧化物半导体层上;光电二极管(9),其由下部电极(91)、光电转换层(92)、上部电极(93)构成,经由钝化膜以及平坦化膜所形成的接触孔(21),下部电极连接于漏极电极(4),接触孔的正上方未设置有光电转换层。
搜索关键词: 光电转换装置 氧化物半导体层 光电二极管 光电转换层 平坦化膜 下部电极 钝化膜 接触孔 漏极电极 上部电极 泄漏电流 基板 截止
【主权项】:
1.一种光电转换装置,其特征在于,其具备:薄膜晶体管,其形成在基板上;第一绝缘层,其层叠于所述薄膜晶体管上;光电二极管,其在上部电极和下部电极之间设置有光电转换层,经由所述第一绝缘层所形成的第一接触孔,所述光电二极管的下部电极连接于所述薄膜晶体管的漏极电极,所述第一接触孔的正上方未设置有所述光电转换层。
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