[发明专利]具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780004961.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108431956B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | J.于;Z.卢;小川裕之;D.毛;K.山口;S.T.李;李耀升;J.阿尔斯梅尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/50 | 分类号： | H10B43/50;H10B43/40;H10B43/27;H10B41/50;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿过 堆叠 外围 接触 结构 多层 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上形成外围器件；在所述半导体衬底之上形成包含第一有源交替堆叠体和第一外围交替堆叠体的第一层级结构，其中至少所述第一外围交替堆叠体在所述外围器件上面，并且所述第一有源交替堆叠体和所述第一外围交替堆叠体中的每一个包括被图案化以提供相应的第一阶梯式梯台的第一绝缘层和第一间隔体材料层的交替堆叠体；穿过所述第一外围交替堆叠体形成第一外围通孔腔；以牺牲通孔填充结构填充所述第一外围通孔腔；在所述第一层级结构之上形成包括第二有源交替堆叠体和第二外围交替堆叠体的第二层级结构，其中所述有源交替堆叠体和所述第二外围交替堆叠体中的每一个包括被图案化以提供相应的第二阶梯式梯台的第二绝缘层和第二间隔体材料层的交替堆叠体，并且所述第二外围交替堆叠体在所述第一外围交替堆叠体的上面；以导电层替代所述第一间隔体材料层和所述第二间隔体材料层的在所述第一有源交替堆叠体和所述第二有源交替堆叠体中的至少部分；以及同时形成第二外围通孔腔和字线接触通孔腔，所述第二外围通孔腔穿过第二外围交替堆叠体延伸到所述外围通孔填充结构，所述字线接触通孔腔在第一有源交替堆叠体和第二有源交替堆叠体中延伸到所述导电层。
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