[发明专利]使用牺牲多晶硅柱形成的单片三维存储器阵列在审
| 申请号： | 201780005021.4 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108431978A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 高木世济;峰辉幸 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了形成单片三维存储器阵列的方法。该方法包含在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱，该第一垂直取向的多晶硅柱由介电材料围绕，将第一垂直取向的多晶硅柱移除以形成介电材料中的第一空隙，并且用导电材料填充第一空隙以形成第一通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 垂直取向 单片三维存储器阵列 介电材料 导电材料填充 衬底 通孔 | ||
【主权项】：
1.一种形成单片三维存储器阵列的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一垂直取向的多晶硅柱，所述第一垂直取向的多晶硅柱由介电材料围绕；将所述第一垂直取向的多晶硅柱移除以在所述介电材料中形成第一空隙；以及用导电材料填充所述第一空隙以形成第一通孔。
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