[发明专利]空位调制导电氧化物区域切换单元到VBL架构的实现方式在审
| 申请号： | 201780005073.1 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108431979A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | Y.田中;Y.陈;C.付;C.佩蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于改善利用空位调制导电氧化物(VMCO)结构的非易失性存储器性能的系统和方法。VMCO结构可以包括非晶硅层(例如，Si阻挡层)和钛氧化物层(例如，TiO2切换层)。在一些情形下，与空位形成的丝状路径的收缩中的局部切换相反，VMCO结构或VMCO堆叠体可以跨越VMCO结构的区域使用批量切换或切换O离子移动。VMCO结构可以部分地或完全嵌入在存储器阵列的字线层内。 | ||
| 搜索关键词： | 空位 导电氧化物 调制 非易失性存储器 存储器阵列 钛氧化物层 非晶硅层 离子移动 区域切换 堆叠体 切换层 字线层 阻挡层 丝状 嵌入 收缩 架构 | ||
【主权项】：
1.一种制造存储器阵列的一部分的方法，包括：形成802字线层和电介质层的交替的堆叠体；蚀刻804存储器孔使其延伸通过字线层和电介质层的所述交替的堆叠体；在蚀刻所述存储器孔之后，凹陷806所述字线层中的第一字线层的一部分；在所述第一字线层的凹陷部分的第一区域内沉积808非晶硅层；在所述第一字线层的凹陷部分的第二区域内沉积810钛氧化物层；以及在沉积所述非晶硅层和所述钛氧化物层之后，以导电材料填充814所述存储器孔的至少一部分。
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