[发明专利]高导电性碳纳米管及制造其的方法有效
| 申请号： | 201780005255.9 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108430920B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 姜京延;金叡隣;禹知希;柳正根;曹东铉 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158;C08J5/00;C08K3/04;C08K7/22;B01J23/847;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 严彩霞;韩飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明的碳纳米管可以通过使BET和晶体尺寸满足由以下式1表示的条件来提供更高的导电性，并且因此可以改善包含所述碳纳米管的碳复合材料的导电性。[式1]L |
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| 搜索关键词： | 导电性 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.满足以下式1的条件的碳纳米管：[式1]Lc×[CNT的比表面积(cm2/g)]1/2>80其中，Lc为通过X射线衍射方法而测量的晶体尺寸。
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