[发明专利]用于转移微电子器件的方法在审
| 申请号： | 201780005600.9 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108513684A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李圣经;孙世焕;李种根 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G03F7/20;G03F7/075 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;赵丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于转移微电子器件的方法，其包括以下步骤：将形成在晶片的一个表面上的多个元件芯片转移至第一粘合膜的粘合层，所述第一粘合膜包括透光基底和形成在透光基底上的粘合层；通过第一粘合膜的透光基底对其上转移有多个元件芯片的粘合层的另一个表面进行选择性曝光；以及通过使第一粘合膜上的多个元件芯片与第二粘合膜的粘合层接触将第一粘合膜上的多个元件芯片选择性转移，所述第二粘合膜包括透光基底和形成在透光基底上的粘合层，其中第一粘合膜的粘合层的未曝光部分对元件芯片的粘合力大于第二粘合膜的粘合层对元件芯片的粘合力，并且第一粘合膜的粘合层的曝光部分对元件芯片的粘合力小于第二粘合膜的粘合层对元件芯片的粘合力。 | ||
| 搜索关键词： | 粘合膜 粘合层 元件芯片 透光基 粘合力 微电子器件 选择性曝光 选择性转移 曝光 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种用于转移微电子器件的方法，包括以下步骤：将形成在晶片的一个表面上的多个元件芯片转移至第一粘合膜的粘合层，所述第一粘合膜包括透光基底和形成在所述透光基底上的粘合层；通过所述第一粘合膜的透光基底对其上转移有所述多个元件芯片的所述粘合层的另一个表面进行选择性曝光；以及通过使所述第一粘合膜上的多个元件芯片与第二粘合膜的粘合层接触将所述第一粘合膜上的多个元件芯片选择性转移，所述第二粘合膜包括透光基底和形成在所述透光基底上的粘合层，其中所述元件芯片为微LED芯片，所述第一粘合膜的粘合层的未曝光部分对所述元件芯片的粘合力大于所述第二粘合膜的粘合层对所述元件芯片的粘合力，并且所述第一粘合膜的粘合层的曝光部分对所述元件芯片的粘合力小于所述第二粘合膜的粘合层对所述元件芯片的粘合力。
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