[发明专利]内部应力控制膜的形成方法有效
申请号: | 201780005953.9 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108474107B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 中野贤明;平松大典;沼田幸展 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的内部应力控制膜的形成方法,通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜,形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择,并且,形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力,具有高的密度的内部应力控制膜。 | ||
搜索关键词: | 内部 应力 控制 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种内部应力控制膜的形成方法,其通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜,其中,形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择,并且,对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比在拉伸侧具有大的应力和高的密度。
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