[发明专利]多晶介电体薄膜及电容元件有效
| 申请号： | 201780006873.5 | 申请日： | 2017-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108475580B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎久美子;千原宏;永峰佑起;山崎纯一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;C04B35/50;H01B3/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;沈娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供介电损失tanδ小的多晶介电体薄膜及电容元件。是主要组成为钙钛矿型氮氧化物的多晶介电体薄膜。钙钛矿型氮氧化物以组成式A |
||
| 搜索关键词： | 多晶 介电体 薄膜 电容 元件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶介电体薄膜，其主要组成是钙钛矿型氮氧化物，其特征为：该钙钛矿型氮氧化物以组成式AaBbOoNn表示，其中，a+b+o+n＝5，a/b＞1，且n≥0.7。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780006873.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电子部件保持件
- 下一篇：具有改善的漏电流的固体电解电容器
