[发明专利]离子传导体的制造方法有效
| 申请号： | 201780006992.0 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN108475565B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 岛田昌宏;伊藤智裕;香取亚希;宇根本笃;折茂慎一 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/06;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供适于大量制造离子传导性等各种特性优异的离子传导体的制造方法。根据本发明的一个实施方式，提供一种离子传导体的制造方法，其包括：使用溶剂将LiBH |
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| 搜索关键词： | 离子 传导 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子传导体的制造方法，其特征在于，包括：使用溶剂将LiBH4和下述式(1)所示的卤化锂混合的步骤；和在60℃～280℃将所述溶剂除去的步骤，LiX (1)式(1)中，X表示选自卤素原子中的1种。
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