[发明专利]用于制造包括贯穿基板延伸的导电孔的互连部的方法在审
申请号: | 201780007371.4 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN108475660A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 朱利安·维蒂耶洛;法比安·皮亚拉 | 申请(专利权)人: | 库伯斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/285;C23C16/455 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陆弋;安翔 |
地址: | 法国蒙博诺*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造包括贯穿基板(1)延伸的导电孔(V)的互连部的方法,所述方法相继地包括:(a)在所述基板的主表面(1A)上以及至少一个孔洞(10)的内表面(10A、10B)上沉积氮化钛或氮化钽层(11),该至少一个孔洞延伸到所述基板的厚度的至少一部分内;(b)在所述氮化钛或氮化钽层(11)上沉积铜层(12);(c)用铜填充所述孔洞(10);所述方法的特征在于,在步骤(a)期间,基板(1)被布置在第一沉积室(100)内,并且在于所述步骤(a)包括:根据第一脉冲序列、经由第一喷射路径将气相的钛或钽前驱体喷射到沉积室内;以及,根据第二脉冲序列、经由与第一喷射路径不同的第二喷射路径将含氮反应气体喷射到沉积室内,所述第一脉冲序列和第二脉冲序列是有相位差的。 | ||
搜索关键词: | 基板 脉冲序列 孔洞 喷射路径 沉积 氮化钽层 氮化钛 导电孔 互连部 喷射 延伸 室内 沉积铜层 反应气体 沉积室 内表面 前驱体 铜填充 相位差 主表面 贯穿 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造包括贯穿基板(1)延伸的导电孔(V)的互连部的方法,所述方法包括以下的连续步骤:a)在所述基板的主表面(1A)上以及至少一个孔洞(10)的内表面(10A、10B)上沉积氮化钛或氮化钽层(11),所述至少一个孔洞(10)延伸到所述基板的厚度的至少一部分内;b)在所述氮化钛或氮化钽层(11)上沉积铜层(12);c)用铜填充所述孔洞(10);所述方法的特征在于,在步骤(a)期间,所述基板(1)被布置在第一沉积室(100)内,并且,所述步骤(a)包括:根据第一脉冲序列、经由第一喷射路径将气相的钛或钽前驱体喷射到所述沉积室内;以及,根据第二脉冲序列、经由与所述第一喷射路径不同的第二喷射路径将含氮反应气体喷射到所述沉积室内,所述第一脉冲序列和所述第二脉冲序列是异相的,在步骤a)的整个持续时间内,所述第一沉积室(100)内的压力大于500毫托。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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