[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780007710.9 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108604594B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方，且第一导电型的发射区的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其在半导体基板的内部设置在发射区与漂移区之间；第一导电型的第一积累区，其在半导体基板的内部设置在基区与漂移区之间，且第一导电型的第一积累区的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；多个沟槽部，其以从半导体基板的上表面贯穿发射区、基区和第一积累区的方式设置，且在内部设置有导电部；以及电容附加部，其设置在比第一积累区靠近下方的位置，且附加栅极‑集电极间电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；第一导电型的发射区，其在所述半导体基板的内部设置于所述漂移区的上方，且第一导电型的发射区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；第二导电型的基区，其在所述半导体基板的内部设置在所述发射区与所述漂移区之间；第一导电型的第一积累区，其在所述半导体基板的内部设置在所述基区与所述漂移区之间，且第一导电型的第一积累区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；多个沟槽部，其以从所述半导体基板的上表面贯穿所述发射区、所述基区和所述第一积累区的方式设置，且在内部设置有导电部；电容附加部，其设置于比所述第一积累区靠近下方的位置，且附加栅极‑集电极间电容。
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