[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶的制造方法及Cu-Ga合金溅射靶有效
| 申请号： | 201780007758.X | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108603280B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吉田勇气;植田稔晃;森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/02;B22F3/10;B22F5/10;C22C1/04;C22C9/00;C22C28/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由Cu‑Ga合金构成且具有中空部的Cu‑Ga合金溅射靶(10)的制造方法，该方法具有：临时烧结工序(S02)，向具有型芯(32)的成型模具填充至少含有CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体(13)；及正式烧结工序(S03)，从所述临时烧结体(13)抽取所述型芯(32)，并在还原气氛中加热所述临时烧结体(13)而形成烧结体，所述临时烧结工序(S02)中，作为所述型芯(32)，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu‑Ga合金溅射靶(10)的Cu‑Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体(13)。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑Ga合金溅射靶的制造方法，所述Cu‑Ga合金溅射靶由Cu‑Ga合金构成且具有中空部，所述Cu‑Ga合金溅射靶的制造方法的特征在于，具有：临时烧结工序，向具有型芯的成型模具填充至少包含CuGa合金粉的原料粉，并在还原气氛中进行加热而形成临时烧结体；及正式烧结工序，从所述临时烧结体抽取所述型芯，并在还原气氛中加热所述临时烧结体而形成烧结体，所述临时烧结工序中，作为所述型芯，使用由线性热膨胀系数大于构成所述Cu‑Ga合金溅射靶的Cu‑Ga合金的材质构成的型芯，在100℃以上且600℃以下的温度下保持10分钟以上且10小时以下，由此形成所述临时烧结体。
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