[发明专利]新型化合物及含有其的半导体材料有效
| 申请号： | 201780008026.2 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108495833B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 稻垣翔;石塚亚弥;饵取秀树 | 申请（专利权）人： | DIC株式会社 |
| 主分类号： | C07C15/28 | 分类号： | C07C15/28;C09D11/00;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R |
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| 搜索关键词： | 新型 化合物 含有 半导体材料 | ||
【主权项】：
1.一种通式(1)所示的化合物，其中，化合物(1‑1)、化合物(1‑2)、化合物(1‑3)、化合物(1‑4)、化合物(1‑5)、及化合物(1‑6)被排除在外，![]()
式(1)中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基，该烷基中的‑CH2‑以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被‑O‑、‑R’C＝CR’‑、‑CO‑、‑OCO‑、‑COO‑、‑S‑、‑SO2‑、‑SO‑、‑NH‑、‑NR’‑或‑C≡C‑取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代，其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基，![]()
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