[发明专利]集成光电检测器有效
| 申请号： | 201780008263.9 | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108575098B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | D·巴苏;H·L·爱德华兹;R·A·杰克逊;M·A·加德纳 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0232;H01L31/103;G01J1/02;G01J1/04;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述的示例中，集成电路(100)包括基板(102)、光电二极管(110)和菲涅耳结构(120)。光电二极管(110)形成在基板(102)上，并且光电二极管(110)具有p‑n结(116)。菲涅耳结构(120)形成在光电二极管(110)上方，并且菲涅耳结构(120)限定定位在p‑n结(116)的附近区域内的聚焦区(122)。一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的沟槽图案(132、134、136、138)以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(124)。另一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的布线图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。又一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当折射装置的透明电介质图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 光电 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述基板上，所述光电二极管具有p‑n结；以及菲涅耳结构，所述菲涅耳结构形成在所述光电二极管上方，所述菲涅耳结构限定定位在所述p‑n结的附近区域内的聚焦区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780008263.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
