[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备基板、以及支撑于上述基板的第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管，上述第1薄膜晶体管具有：第1栅极电极；结晶质硅半导体层；第1栅极绝缘层，其配置在上述第1栅极电极和上述结晶质硅半导体层之间；以及第1源极电极和第1漏极电极，其与上述结晶质硅半导体层电连接，上述第2薄膜晶体管具有：第2栅极电极；氧化物半导体层；第2栅极绝缘层，其配置在上述第2栅极电极和上述氧化物半导体层之间；以及第2源极电极和第2漏极电极，其与上述氧化物半导体层电连接，上述第1源极电极和上述第1漏极电极隔着第1层间绝缘层设置在上述结晶质硅半导体层之上，并且分别在形成于上述第1层间绝缘层的第1源极接触孔和第1漏极接触孔内与上述结晶质硅半导体层接触，上述第2源极电极电连接到与上述第1源极电极和上述第1漏极电极由同一导电膜形成的配线，上述配线隔着第2层间绝缘层设置在上述第2源极电极之上，并且在包含形成于上述第2层间绝缘层的开口的第2接触孔内与上述第2源极电极接触，上述第2源极电极具有包含主层和配置在上述主层之上的上层的层叠结构，在上述第2层间绝缘层的上述开口的下方，上述上层具有第1开口部，上述主层具有第2开口部或凹部，当从上述基板的法线方向观看时，上述第2开口部或上述凹部比上述第1开口部大。