[发明专利]离子束装置中污染控制的装置、系统和方法有效

专利信息
申请号: 201780008729.5 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN108604523B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 亚历山大·利坎斯奇;杰·T·舒尔;威廉·戴维斯·李 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/248 分类号: H01J37/248;H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种离子束装置中污染控制的装置、系统和方法。所述装置可包含产生离子束的离子源,所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含:停止元件,其安置于离子源与衬底位置之间;停止电压供应器,其耦合到停止元件;以及控制组件,其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件,当离子束包括正离子时,停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正,且当离子束包括负离子时,停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负,其中当将停止电压施加到停止元件时,离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
搜索关键词: 离子束 装置 污染 控制 系统 方法
【主权项】:
1.一种装置,包括:产生离子束的离子源,所述离子源耦合到第一电压;停止元件,其安置于所述离子源与衬底位置之间;停止电压供应器,其耦合到所述停止元件;以及控制组件,其引导所述停止电压供应器以将停止电压施加到所述停止元件,当所述离子束包括正离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏正,且当所述离子束包括负离子时,所述停止电压等于所述第一电压或比所述第一电压更加偏负,其中,当将所述停止电压施加到所述停止元件时,所述离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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