[发明专利]具有IV族半导体作为底部结的多结光电子器件

摘要

公开了一种多结光电子器件(200)和制造方法。该方法包括在衬底(212)上提供第一p‑n结构(208)，其中第一p‑n结构包括具有第一带隙的第一半导体的第一基极层，使得第一半导体的晶格常数与衬底的晶格常数匹配，并且其中第一半导体包括III‑V族半导体。该方法包括提供第二p‑n结构(206)，其中第二p‑n结构包括具有第二带隙的第二半导体的第二基极层，其中第二半导体的晶格常数与第一半导体的晶格常数匹配，并且其中第二半导体包括IV族半导体。该方法还包括从衬底剥离具有第一p‑n结构和第二p‑n结构的多结光电子器件，其中多结光电器子件是柔性器件。

主权项

1.一种制造多结光电子器件的方法，该方法包括：在衬底上提供第一p‑n结构，其中所述第一p‑n结构包括具有第一带隙的第一半导体的第一基极层，使得所述第一半导体的晶格常数与所述衬底的晶格常数匹配，并且其中所述第一半导体包括III‑V族半导体；在所述第一p‑n结构上提供第二p‑n结构，其中所述第二p‑n结构包括具有第二带隙的第二半导体的第二基极层，其中所述第二半导体的晶格常数与所述第一半导体的晶格常数匹配，并且其中所述第二半导体包括IV族半导体；和将所述多结光电子器件从所述衬底上剥离，其中所述多结光电子器件包括所述第一p‑n结构和所述第二p‑n结构。