[发明专利]保护膜形成用复合片在审

专利信息
申请号: 201780010062.2 申请日: 2017-04-25
公开(公告)号: CN108778731A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 佐藤明徳;稻男洋一 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: B32B27/16 分类号: B32B27/16;H01L21/301;H01L23/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、具有良好的切割适性、且具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。本发明的保护膜形成用复合片1A在支撑片10上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜13,对所述保护膜形成用膜13照射能量射线从而制成保护膜时,所述保护膜与所述支撑片10之间的粘着力为100~2000mN/25mm。
搜索关键词: 保护膜形成 保护膜 复合片 能量射线固化性 支撑片 照射能量射线 半导体晶圆 半导体芯片 背面 切割
【主权项】:
1.一种保护膜形成用复合片,其在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜,对所述保护膜形成用膜照射能量射线从而制成保护膜时,所述保护膜与所述支撑片之间的粘着力为100~2000mN/25mm。
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