[发明专利]在制造微电子品的铜沉积中使用的调平组合物有效
| 申请号： | 201780010520.2 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108779240B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 文森·潘尼卡西欧;凯力·惠登;汤玛斯·B·理察生;李伊凡 | 申请（专利权）人： | 麦克德米德乐思公司 |
| 主分类号： | C08G65/24 | 分类号： | C08G65/24;C25D3/02;C25D3/38;H01L21/02;H01L21/288;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘卓然 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种水性电解组合物，以及一种使用该水性电解组合物将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上的方法。该方法包括(i)使在基本结构上包含种子导电层的金属化基板与水性电解沉积组合物接触；及(ii)对该电解沉积组合物供应电流以将铜沉积在该基板上。该水性电解组合物包含：(a)铜离子；(b)酸；(c)抑制剂；及(d)包含n个与结构1N对应的重复单元和p个与结构1P对应的重复单元的四级化聚(表卤醇)： |
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| 搜索关键词： | 制造 微电子 沉积 使用 组合 | ||
【主权项】：
1.一种将铜电沉积在介电体或半导体基本结构上的方法，该方法包括：使包含种子导电层的金属化基板与水性电解沉积组合物接触；及对该电解沉积组合物供应电流以将铜沉积在该基板上；其中该水性电解组合物包含：铜离子；酸；抑制剂；及包含n个与结构1N对应的重复单元和p个与结构1P对应的重复单元的四级化聚(表卤醇)：![]()
其中Q具有与可通过将聚(表卤醇)的侧接二卤甲基与叔胺反应而得到的结构对应的结构，所述叔胺从由下列所组成的群组中选出：(i)NR1R2R3，其中各R1、R2与R3独立地从由经取代或未取代的烷基、经取代或未取代的烯基、经取代或未取代的炔基、经取代或未取代的脂环、经取代或未取代的芳烷基、经取代或未取代的芳基和经取代或未取代的杂环所组成的群组中选出；(ii)经N‑取代且可选地进一步经取代的杂脂环胺，其中N‑取代基从由经取代或未取代的烷基、经取代或未取代的脂环、经取代或未取代的芳烷基、经取代或未取代的芳基和经取代或未取代的杂环所组成的群组中选出；及(iii)经取代或未取代的含氮杂芳基化合物；n为3至35的一个整数，p为0至25的一个整数；X为卤取代基；及X‑为单价阴离子。
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