[发明专利]抛光III-V族材料的方法有效
| 申请号： | 201780011851.8 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN108701616B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | B.佩特罗;G.怀特纳;W.沃德 | 申请（专利权）人： | CMC材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了化学‑机械地抛光基板的方法。该方法包括以下步骤、由以下步骤组成、或基本上由以下步骤组成：(a)使含有至少一种III‑V族材料的基板与抛光垫及化学‑机械抛光组合物接触，该化学‑机械抛光组合物包括水、具有负表面电荷的研磨剂颗粒、以及约0.01wt.％至约5wt.％的量的用于氧化该III‑V族材料的氧化剂，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH；(b)相对于该基板移动该抛光垫及该化学‑机械抛光组合物；及(c)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。在一些实施方式中，该III‑V族材料是包含至少一种来自元素周期表第III族的元素及至少一种来自元素周期表第V族的元素的半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 iii 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.化学‑机械地抛光基板的方法，该方法包括：(a)使含有至少一种III‑V族材料的基板与抛光垫及化学‑机械抛光组合物接触，该化学‑机械抛光组合物包括水、具有负表面电荷的研磨剂颗粒、以及约0.01wt.％至约5wt.％的量的用于氧化该III‑V族材料的氧化剂，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH；(b)相对于该基板移动该抛光垫及该化学‑机械抛光组合物；及(c)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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