[发明专利]包括提供全局电子快门的图像传感器的图像传感器在审
| 申请号： | 201780012059.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108701728A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | Z·M·贝利;E·H·萨金特 | 申请（专利权）人： | 因维萨热技术公司 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/108;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各种实施方案包括图像传感器，所述图像传感器提供具有集成电路、第一电荷提取层、光敏层和第二空穴提取层的全局电子快门。在第一模式(所述“开启”模式)下，经由所述第一电荷提取层提取电子。在第二模式(所述“关闭”模式)下，所述空穴的提取被所述第一电荷提取层阻止。公开了其他实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 电荷提取 电子快门 空穴 空穴提取层 光敏层 全局 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种提供全局电子快门的图像传感器，所述图像传感器包括：集成电路；第一电荷提取层；光敏层；和第二空穴提取层；其中在第一模式(“开启”模式)下，经由所述第一电荷提取层提取电子，并且其中在第二模式(“关闭”模式)下，空穴的提取被所述第一电荷提取层阻止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
