[发明专利]薄膜晶体管基板和显示面板有效

专利信息
申请号: 201780012574.2 申请日: 2017-02-17
公开(公告)号: CN108701720B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 内田诚一;冈田训明;上田直树;佐佐木贵启 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 阵列基板(11b)具备:栅极配线(19);TFT(17),其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c),栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分,沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24),源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧,漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧,且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24);像素电极(18),其连接到漏极部(17c);像素PX,其具有TFT(17)和像素电极(18);以及第2层间绝缘膜(27),其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。
搜索关键词: 薄膜晶体管 显示 面板
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,具备:栅极配线;薄膜晶体管,其至少具有栅极电极、沟道部、源极部及漏极部,上述栅极电极包括上述栅极配线的一部分,上述沟道部包括氧化物半导体膜,且以至少一部分与上述栅极电极重叠的形式配置,上述源极部连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极部连接到上述沟道部的另一端侧,且包括与上述沟道部相比电阻较低的上述氧化物半导体膜;像素电极,其至少一部分与上述漏极部重叠,连接到上述漏极部;像素,其至少具有上述薄膜晶体管和上述像素电极;以及绝缘膜,其以介于上述像素电极与上述漏极部之间的形式配置,并且在与上述像素电极和上述漏极部重叠且不与上述栅极电极重叠的位置形成有开口部。
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