[发明专利]在低温和大气压下制造合成锂蒙脱石的方法有效
| 申请号： | 201780012608.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108698840B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 金钟勋;李悌均 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李静;张云志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在低温和大气压下制造合成锂蒙脱石的方法以及由该制造方法制造的合成锂蒙脱石，更具体而言，涉及一种合成锂蒙脱石的制造方法以及由该制造方法制造的合成锂蒙脱石，其中：引入形成Li‑Mg沉淀物的步骤，从而确保改进的结晶反应条件和具有优异性能的合成锂蒙脱石；控制反应物的组成比例，因此容易控制性能。 | ||
| 搜索关键词： | 温和 大气 压下 制造 合成 锂蒙脱石 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成锂蒙脱石的制造方法，该制造方法包括下面的步骤：1)制备包含锂(Li)前体、氟(F)前体和镁(Mg)前体的前体溶液混合物；2)将碱性催化剂加入到所述前体溶液混合物中并形成Li‑Mg沉淀物；以及3)将硅(Si)前体加入到所述Li‑Mg沉淀物中并进行结晶反应。
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